このたび、文部科学省補助事業「地域イノベーション戦略支援プログラム」の一環として研究を進めているパワーデバイス関連分野の研究成果報告として、特別講演の講師に本分野の第一人者である福井大学葛原正明教授をお招きし、国際ミニシンポジウムを下記のとおり開催致しました。

  企業、大学、公的機関等多数の方にご参加いただき、全編英語で行われ、会場からは多くの質問が講演者に寄せられました。

 

開催日時・場所

１.日　時　 平成 30 年  8 月 3 日 (金）

                14:00～16:25

２.場　所　 山口グランドホテル ２階 鳳凰

３.参加費　 無料

４.主　催　 地方独立行政法人山口県産業技術センター             

                国立大学法人山口大学

                公立大学法人山陽小野田市立山口東京理科大学

５.共　催　 次世代エネルギー研究会     

 

プログラム

◆開会挨拶（14:00～14:10）
   （地独）山口県産業技術センター プロジェクトディレクター  東 正信

 

◆基調講演（14:10～14:40）
    “Recent progress of self-standing high quality GaN substrate for power devices”

         山口大学 大学院創成科学研究科 教授 只友 一行 氏

 

◆特別講演（14:40～15:10）
    “Recent progress of GaN power devices toward its social implementation”
         福井大学 大学院工学研究科 教授 葛原 正明 氏

 

◆企業講演（15:25～15:50）
    “Novel heat dissipation materials for power devices”
         株式会社トクヤマ 特殊品開発グループ 主席 金近 幸博 氏

 

◆国際技術動向調査報告（15:50～16:20）

    “Reports on international technical trends of GaN substrate and its competitiveness in power device fields”

        （地独）山口県産業技術センター サブマネージャー 片桐 光太郎

 

◆閉会挨拶（16:20～16:25）
     （地独）山口県産業技術センター プロジェクトディレクター 東 正信

 

◎座長   ／   山口大学  大学研究推進機構 産学公連携センター長　小松 隆一