反応スパッタリング装置(はんのうすぱったりんぐそうち)
用途
スパッタリング法およびプラズマCVD法によりセラミックス膜やダイヤモンドライクカーボン膜を真空中で試料表面に形成する装置。
仕様
4インチマグネトロンスパッタリング×3,
ICP電源(1kW),RF電源(500W)
基板加熱回転機構(300℃以下)
メーカー
株式会社ユーテック
型式
YE1721
機器分類
材料成形・研磨加工
利用区分
料金
10390円/日
設置年度
平成12年度

スパッタリング法およびプラズマCVD法によりセラミックス膜やダイヤモンドライクカーボン膜を真空中で試料表面に形成する装置。
4インチマグネトロンスパッタリング×3,
ICP電源(1kW),RF電源(500W)
基板加熱回転機構(300℃以下)
株式会社ユーテック
YE1721
材料成形・研磨加工
10390円/日
平成12年度